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    奥地利乒乓球国家队:峨眉山串联功率半导体高可靠性

    最后更新:2017-12-02 16:36:19   来源:h5xzCtNE
    产品品牌:
    矽莱克 
    产品单价:
    电议 
    最小起订:
    1 
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    大量 
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    1天 
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    深圳 

    乒乓球台简笔画 www.ewsho.tw 峨眉山串联功率半导体高可靠性

    矽莱克推出全球首创之《功率半导体串联封装技术》系列产品

    矽莱克半导体将于2017第四季,推出全球首创之《功率半导体串联封装技术》系列产品,该项技术为一种全球独创、低成本、高可靠性、生产自动化的串联式(Tandem)功率半导体封装(Assembly)技术,并已获得各国多项专利,目前产品已进入量产前的最后阶段。

    峨眉山串联功率半导体高可靠性

    串联封装可以透过封装技术提高半导体的电器特性如反向耐压,并组成各类功率??橐耘浜系缏飞杓频囊?。过去半导体产业历经数十年的器件发展历程,串联功率器件没有被广泛运用的原因是不易生产以及不易使用,主要发展的困境及阻碍有:

    1、串联装置生产工艺繁琐复杂

    2、生产成本高

    3、可能需要手工生产

    4、要求生产设备较多且造价高

    5、一致性差并导致可靠性低

    6、散热特性差及功率密度低

    7、经常无法验证实际运用时的电器特性状况,导致无法进行运用的可行性及可靠性评估


    矽莱克串联封装技术突破了长期以来功率半导体串联封装的障碍并填补了空白,启动了功率半导体串联封装技术的新领域,全面加速全球第三代半导体成长速度以及运用领域的广泛性,同时解决了电力电子领域高功率密度以及高可靠性的迫切需要,进而创造极高性价比的电能交流直流高效率转换运用方案,该项产品优点:

    1、串联装置生产工艺简单

    2、制造成本低

    3、完全自动化设备生产

    4、不需一般半导体制程外的额外生产设备要求

    5、一致性及可靠性极高

    6、散热性佳

    7、可验证任何运用时的实际电器特性状况,进而评估各类运用的可行性及可靠性,无限拓展运用领域

    峨眉山串联功率半导体高可靠性

    矽莱克串联封装技术突破了长期以来功率半导体串联封装的障碍并填补了空白,启动了功率半导体串联封装技术的新领域,全面加速全球第三代半导体成长速度以及运用领域的广泛性,同时解决了电力电子领域高功率密度以及高可靠性的迫切需要,进而创造极高性价比的电能交流直流高效率转换运用方案
    该项技术发展之产品,运用领域十分广泛,包括消费性电子、家电、工业、光伏、网络通讯、汽车及电动车、高铁、电力、军事国防、航天等等,主要用于开关电源、逆变器、功率因素校正、高频交换、高压及特高压、低频交直流整流以及其他各类电子产品及相关设计电路运用,几乎可涵盖80%以上的现有运用,并将创造出各类新的应用领域需求。



    美商矽莱克半导体(Sirect Semiconductor Inc.)为专业之功率半导体设计制造商,成立于2002年,于台湾及中国皆设有运营机构,主要领域为电源管理运用,尤其专注于高度可靠性的整流节能器件,主要产品中的高效节能肖特基,为日趋严格的能效世界标准如能效六DOE6.0等提供了最佳的选择。 矽莱克半导体长期于开关电源领域服务逾五百余家客户,含括消费性电子、LED照明、工业电子、通信、电动汽车等行业,制造端及终端客户群如acer、LG、CISCO、Netgear、华为、明纬、侨威、盈聚、炬神、欧陆通、飞宏、新巨、长城、浪潮、立德、亚元、康舒、全汉、三华...等。 美商矽莱克半导体(Sirect Semiconductor Inc.)改良型沟槽式(Trench)低压降肖特基主要解决了过去该类产品高温漏电普遍较大以及电磁兼容性较差的缺点,除提升改善以上的特性外,同时提升静电耐受能力。 美商矽莱克半导体第三代改良式平面型低压降肖特基具有更高的可靠性,除具备低正向压降(Low VF)的优点以及低漏电(Low IR)特性外,静电(ESD)承受能力、电磁兼容性(EMC)以及雪崩能量(Avalanche Energy)等各方面表现优异,尤其是长时间高温运用常见的热跑脱(Thermal Runaway)失效现象,该产品具有极佳的耐受能力。第三代产品除降低了正向压降VF数值外,同时提升了静电ESD承受能力,矽莱克该平面型低压降萧特基产品已投放市场十余年,为该类产品市场先驱之一,已用时间以及实绩获得市场考验以及客户肯定。

    峨眉山串联功率半导体高可靠性


    全新制程之功率因素校正超快速升压二极管600V系列

    矽莱克半导体现推出全新制程之功率因素校正超快速升压二极管600V系列MUR460(4A/600V/DO-27), MUR860H(8A/600V/TO-220)及MUR860LH(8A/600V/TO-220),该产品具有以下特色及优点:

    - 超快的逆向恢复速度(TRR)以及较小的逆向恢复充电电荷(QRR & QC),适合用于高频的运用并大幅抑制了高频交换的损失;


    - 更低的正向压降(VF)有效降低了导通的传导损耗;

    - 较低的逆向漏电(IR)与极低的反向恢复电流(IRM)进而降低了开关组件的额外开关损耗;

    - 超小的反向振铃(Ring-Peak)特性并降低了电磁干扰(EMI)及噪声(Noise);

    - 优良的软恢复特性(Softness Recovery)进而抑制开关组件的开关损耗

    -    较高的功率密度(High Density)以及更高的成本竞争优势


    该系列产品除了具有更高的功率因素效果及平均输出效率表现之外,同时兼具较低的电磁干扰(EMI)特性、较低的涟波(Ripple)影响以及噪声干扰(Noise)效果等综合特性。

    矽莱克该系列产品具有较高之性价比,为较具经济性及高效率的运用方案,尤其适用于CRM模式PFC电路

    峨眉山串联功率半导体高可靠性



    碳化硅(SiC)肖特基产品

    美商矽莱克半导体(Sirect Semiconductor Inc.)目前持续投入于碳化硅(SiC)肖特基产品600V~1,200V的研发项目,并计划对该领域持续投入研发费用以及资本性支出,预计2016年第四季可达到量产化的要求并开始投入初期相关市场运用,为此,矽铼特半导体计划将分两阶段对资本进行扩增扩容,以因应并支持项目计划。


    碳化硅SiC产品主要应用于高频功率运用节能领域,广泛运用于消费性电子及工业领域,包括开关电源、太阳能、LED照明、电力、电焊、电动汽车快速充电系统等,该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、******、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

    峨眉山串联功率半导体高可靠性



    改良型第三代平面式低压降肖特基已投放市场

    美商矽莱克半导体(Sirect Semiconductor Inc.)改良型第三代平面式低压降肖特基(Planar Type Low VF Schottky Barrier Diode)已投放市场。
    相对于沟槽式(Trench Type)工艺而言,第三代改良式平面型低压降肖特基具有更高的可靠性,除具备低正向压降(Low VF)的优点以及低漏电(Low IR)特性外,静电(ESD)承受能力、电磁兼容性(EMC)以及雪崩能量(Avalanche Energy)等各方面表现优异,尤其是长时间高温运用常见的热跑脱(Thermal Runaway)失效现象,该产品具有极佳的耐受能力。第三代产品除降低了正向压降VF数值外,同时提升了静电ESD承受能力,矽铼特该平面型低压降萧特基产品已投放市场十余年,为该类产品市场先驱之一,已用时间以及实绩获得市场考验以及客户肯定。


    峨眉山串联功率半导体高可靠性

    合金平面工艺(Alloy Planar)以及沟槽式工艺(Trench)


    矽莱克超低压降肖特基产品主要有两种型态,合金平面工艺(Alloy Planar)以及沟槽式工艺(Trench):
    合金平面工艺(Alloy Planar)为透过合金方式处理萧特基障壁金属(Barrier Metal),降低障壁层金属在硅(Si)材料中的电位势(Barriwr Height),从而降低了正向压降值(VF)以降低运用损耗。其特点除高效率节能外,更具有雪崩能量(Avalanche Energy)强、电磁兼容性(EMC)好、电磁干扰(EMI)低、逆向冲击(Reverse Surge)耐受性好、静电(ESD)耐受力佳、高温漏电(High Temperature Reverse Current Leakage)低以及高温工作功率损耗(Power Loss)低等诸多优点。
    沟槽式工艺(Trench)方面,矽莱克改良了传统沟槽式工艺高温漏电过大,容易导致热跑脱(Thermal Runaway)以及功率损耗过大导致失效的缺点,矽莱克推出了兼具极低正向压降以及极低高温漏电的沟槽式产品,以极佳的性价比,适用于要求更高之节能领域用途。
    目前矽莱克产品线,由1A到60A,包含贴片型SOD-123、SMA、SMB、SMC及TO-277;轴向型DO-41、DO-15、DO-27及R-6;插件型TO-126、TO-220、TO-3P及TO-247等封装型态,系列齐全。

    峨眉山串联功率半导体高可靠性

    szsxlkbdt


    启动了功率半导体串联封装技术的新领域


    由2001年成立迄今,专注于开关电源领域运用,国内外客户已近千余家,产品信赖性高、电磁干扰低、综合特性好,尤其于高效率要求的运用领域


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